삼성전자 D램 생산의 새 패러다임 열었다 – 조선닷컴

 

입력 2020.03.25 08:33

극자외선 공정을 적용한 D램 양산 체제


삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 활용한 D램 양산 체제를 갖췄다. 업계 최초다. EUV는 빛으로 웨이퍼(반도체 원판)에 회선를 그리기 때문에 회로의 선폭을 낮출 수 있다. D램 생산의 새로운 패러다임이 열렸다는 평가가 나오는 이유다. 예컨대 EUV를 이용해 만든 4세대 10나노급(1a) D램은 1세대 10나노급(1x) D램보다 12인치 웨이퍼당 생산성을 2배 높일 수 있다.

삼성전자가 EUV 공정을 적용해 생산한 1세대(1x) 10나노급(1나노 : 10억분의 1미터) DDR4(Double Data Rate 4) D램 모듈 100만개 이상을 전세계 주요 고객에 공급해, 그 품질 평가를 받았다고 25일 밝혔다.

삼성전자는 메모리 업계 최초로 차세대 D램 제품부터 ‘EUV 공정’을 전면 적용해 반도체 미세공정의 한계를 돌파할 수 있게 됐다.

EUV 노광 기술을 적용하면 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝(Multi-Patterning) 공정을 줄이면서 패터닝 정확도를 높이게 된다. 성능과 수율을 향상시키고 제품 개발 기간을 단축할 수 있는 장점이 있다.

삼성전자는 현재 EUV 공정으로 14나노 초반대 ‘4세대 10나노급(1a) D램 양산 기술’을 개발하고 있다. 향후 차세대 제품의 품질과 수율도 기존 공정 제품 이상으로 향상시킬 예정이다.

삼성전자는 내년에 성능과 용량을 더욱 높인 4세대 10나노급(1a) D램(DDR5, LPDDR5)을 양산하고 5세대, 6세대 D램도 선행 개발해 프리미엄 메모리 시장에서의 기술 리더십을 더욱 강화해 나간다는 전략이다.

삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실 이정배 부사장은 “업계 최초로 EUV 공정을 D램 양산에 적용해 글로벌 고객들에게 더욱 차별화된 솔루션을 한발 앞서 제공할 수 있게 됐다”며, “내년에도 혁신적인 메모리 기술로 차세대 제품을 선행 개발해 글로벌 IT 시장이 지속적으로 성장하는데 기여할 것”이라고 밝혔다.

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